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【判断题】 碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。

【多项选择题】 CE定律发展面临的问题包括（）。

【多项选择题】 IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（）。

【判断题】 三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。

【多项选择题】 芯片粘接的工艺过程包括（）。

【多项选择题】 影响封装芯片特性的温度有（）。

【单项选择题】 下面哪道工序主要是针对晶圆切割之后在显微镜下进行晶圆r的外观检查...

【单项选择题】 封装工艺中，银浆固化的温度为（）。

【多项选择题】 互连工艺中AL的制备可选用（）。

【多项选择题】 金属化中可选用的金属材料有（）。

【单项选择题】 进行沟槽填充常用的金属材料是（）。

【单项选择题】 化学机械抛光液的主要成分不包括的是哪个？（）

【多项选择题】 CMP的设备构成包括（）。

【多项选择题】 新的平坦化方法有哪几个？（）

【多项选择题】 光刻工艺对准误差包括（）。

【多项选择题】 光刻工艺的特点包括（）。

【单项选择题】 光刻工艺的设备核心是（）。

【单项选择题】 进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。

【多项选择题】 刻蚀过程中聚合物形成的来源有（）。

【多项选择题】 掺杂后，退火的目的是（）。

【多项选择题】 常压的硅外延方法有（）。

【单项选择题】 刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移？（）

【单项选择题】 注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关？（）

【单项选择题】 掺杂后退火时间一般在（）。

【单项选择题】 当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层，开始形成连续非晶层的...

【多项选择题】 下面哪些元素属于半径较小的杂质原子？（）

【多项选择题】 鸟嘴效应造成的不良影响有（）。

【多项选择题】 消除鸟嘴效应的方法有（）。

【单项选择题】 湿氧氧化采用的氧化水温是（）。

【单项选择题】 硅暴露在空气中，在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为（）。

【单项选择题】 下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标？（）

【单项选择题】 如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物？（）

【单项选择题】 目前制备SOI材料的主流技术有几种？（）

【单项选择题】 硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项？（）

【多项选择题】 多层陶瓷基板多层化的方法包括（）。

【单项选择题】 厚膜电阻的成分，一是导体颗粒，二是（）。

【单项选择题】 典型的薄膜生长工艺一般采用物理气相淀积法进行，以下不属于物理气相...

【多项选择题】 鉴定加速试验中，温度相关的试验包括（）。

【单项选择题】 温度循环试验是在温度均值上应用一定幅值的温度变化，温度变化的速率是（）。

【多项选择题】 集成电路的电学测试包括功能测试和参数测试，以下属于电学测试的为（）。

【单项选择题】 以下电子产品的测试方法，属于破坏性测试的为（）。

【单项选择题】 要观察半导体器件上的针眼和小孔、钝化层裂缝等缺陷，应使用（）。

【多项选择题】 芯片发生失效的机理包括（）。

【单项选择题】 引起芯片翘曲的原因，是由于施加到元器件上的力（）。

【单项选择题】 下列封装形式，最容易发生底座偏移的为（）。

【单项选择题】 材料的体积、面积或长度随温度的变化而变化，这是材料的（）。

【单项选择题】 潮气渗透可用以下哪种方法测定？（）

【多项选择题】 多芯片组件封装的基板材料可以为（）。

【单项选择题】 芯片尺寸封装的封装面积与裸芯片面积的比例为（）。

【单项选择题】 以下封装方式拥有最高封装密度的是（）。

【多项选择题】 陶瓷熔封双列直插式封装结构简单，其三个基本零部件为（）。

【单项选择题】 载带球栅阵列封装所用的焊球，其成分为（）。

【单项选择题】 以下封装方式中，具有工业自动化程度高、工艺简单、容易实现量产的封...

【单项选择题】 金属封装所使用的的材料除了可达到良好的密封性之外，还可提供良好的...

【单项选择题】 陶瓷封装工艺首要的步骤是浆料的制备，浆料成分包含了无机材料和（）。

【单项选择题】 玻璃胶粘贴法仅适用于（）。

【单项选择题】 ‍硅晶体内部的空间利用率是（）。​

【多项选择题】 ‎尘埃的测量方法有（）。

【单项选择题】 ‍高效过滤器的英文简称是（）。‍

【单项选择题】 ‎第一个锗晶体管是（）年发明​。

【多项选择题】 硅的四种掺杂方式有以下几种？（）

【单项选择题】 下列哪个杂质允许在硅中存在的？（）

【多项选择题】 微电子产业的特点有（）。

【多项选择题】 发明集成电路的公司有（）。

【单项选择题】 麒麟980芯片采用的工艺水平是（）。

【单项选择题】 ‍形成B的超浅结掺杂（剂量为QB）时，为了避免沟道效应可否先注入锑（...

【单项选择题】 在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就...

【多项选择题】 ‌关于氧化速率下面哪种描述是正确的？（）

【单项选择题】 在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅...

【填空题】 在硅表面LPCVD-Si3N4之前，都会先热生长薄氧化层，它被称为（）层...

【填空题】 ‍铝膜作为器件的内电极，有抗电迁移性（）的特点。

【填空题】 干法刻蚀的方式主要有：溅射刻蚀、等离子体刻蚀、（）刻蚀三种。

【填空题】 多组分多源蒸发的方法有：同时蒸发，（）蒸发两种。

【填空题】 制备TiO2等介质薄膜可以采用（）溅射方法。

【填空题】 在硅片上热氧化0.5μm厚的氧化层时，硅片增厚了（）μm。

【填空题】 ‎热氧化工艺本质上是在硅与二氧化硅（）发生的硅的氧化反应。

【填空题】 低压气相外延能降低（）效应，从而降低了外延时的杂质再分布。

【多项选择题】 关于铝膜下列哪种说法正确？（）

【多项选择题】 看图判断，下列哪种描述正确？（）

【多项选择题】 扩散系数是表征扩散快慢的参数，它相当于单位浓度梯度时的扩散通量，...

【多项选择题】 ‌P在两歩扩散工艺中，第二步再分布的同时又进行了热氧化（kp=10）...

【多项选择题】 ‏硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，...

【单项选择题】 多晶硅薄膜通常采取哪种方法制备？（）

【单项选择题】 ‎基于LSS理论，离子注入受到靶原子核与电子的阻止，（）。

【单项选择题】 ‎CVD可分为低温工艺、中温工艺、高温工艺，不同温度制备的同种薄膜（...

【单项选择题】 看图判断下列描述是否正确？（）

【单项选择题】 关于硅的热氧化，下面哪种说法正确？（）

【多项选择题】 CMOSIC通常采取那种隔离方法（）

【多项选择题】 可以采取哪种方法来提高光刻分辨率（）

【多项选择题】 下列哪个工艺方法应用了等离子体技术（）

【单项选择题】 实际VPE工艺温度多在质量传递控制区，此时外延速率（）

【判断题】 涂胶前的打底膜是为了增强光刻胶与衬底之间的浸润性。

【判断题】 实际扩散工艺通过调整炉温比调整扩散时间对结深的影响更大。

【判断题】 中子嬗变掺杂不能用于制备p型硅锭。

【判断题】 CZ法、MCZ法拉单晶时必须有籽晶；而FZ法拉单晶时不需要籽晶。

【多项选择题】 蒸镀工艺要求蒸镀室为高真空度的原因（）

【单项选择题】 PVD与CVD比较，下列哪种说法正确（）

【单项选择题】 下列晶体缺陷中对其扩散速率影响最大的是（）

【单项选择题】 CZ法拉不出高阻单晶硅锭的主要原因是（）

【多项选择题】 IC采用铝互连系统时，下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象（）