单项选择题

湿氧氧化采用的氧化水温是（）。

A.95度
B.90度
C.80度
D.75度

<上一题 目录 下一题>
热门 试题

单项选择题
硅暴露在空气中，在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为（）。

A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm
单项选择题
下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标？（）

A.金属离
B.微粒
C.纯度
D.浓度
相关试题