多项选择题
A.有效栅宽变窄B.电流减少C.电容增加D.电阻增大
A.选择合适的掩蔽膜B.在氧化前,将窗口处的硅腐蚀掉深度,再进行局部氧化C.退火D.高压氧化工艺
A.95度B.90度C.80度D.75度