碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。

CE定律发展面临的问题包括（）。

A.工艺实现存在问题
B.源漏耗尽区宽度不可能按比例缩小
C.阈值电压不可能缩的太小
D.电源电压标准的改变会带来很大的不便

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IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（）。

A.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，集成度提高α倍
B.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，而单位芯片面积的功耗不变
C.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，单元电路的功耗下降α2倍
D.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，电路速度可增加α倍

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