填空题
多组分多源蒸发的方法有:同时蒸发,()蒸发两种。
【参考答案】
顺次
点击查看答案
<上一题
目录
下一题>
热门
试题
填空题
制备TiO2等介质薄膜可以采用()溅射方法。
点击查看答案
填空题
在硅片上热氧化0.5μm厚的氧化层时,硅片增厚了()μm。
点击查看答案
相关试题
碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势...
CE定律发展面临的问题包括()。
IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是(...
三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后...
芯片粘接的工艺过程包括()。