填空题

在硅片上热氧化0.5μm厚的氧化层时,硅片增厚了()μm。

【参考答案】

0.28
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填空题
‎热氧化工艺本质上是在硅与二氧化硅()发生的硅的氧化反应。
填空题
低压气相外延能降低()效应,从而降低了外延时的杂质再分布。
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