多项选择题

光刻工艺对准误差包括（）。

A.上下偏移
B.X或Y方向的平移
C.转动
D.套准误差

<上一题 目录 下一题>
热门 试题

多项选择题
光刻工艺的特点包括（）。

A.决定特征尺寸的关键工艺
B.光刻与芯片的价格和性能密切相关
C.光刻工艺过程复杂
D.复印图像和化学作用相结合的综合性技术
单项选择题
光刻工艺的设备核心是（）。

A.掩膜版
B.对准和曝光
C.光刻机
D.光刻胶
相关试题