判断题
中子嬗变掺杂不能用于制备p型硅锭。
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正确
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CZ法、MCZ法拉单晶时必须有籽晶;而FZ法拉单晶时不需要籽晶。
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蒸镀工艺要求蒸镀室为高真空度的原因()
A.为了避免蒸发分子(或原子)被氧化
B.为了降低镀膜中的杂质
C.为了减小蒸发分子(或原子)的平均自由程
D.为了制备的镀膜表面更平坦
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