多项选择题
A.单位为m2/sB.有单位C.无单位D.单位为m/s
A.P扩散速度加快B.扩入Si的P总量下降C.在SiO2/Si界面Si一侧的P耗竭(是指低于SiO2一侧)D.在SiO2/Si界面Si一侧的P堆积(是指高于SiO2一侧)
A.杂质表面浓度< NsB.杂质表面浓度=NsC.应再扩散71minD.表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度