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【单项选择题】 把半导体级硅的多晶硅块，转换成一块大的单晶硅的过程，称作（）。生...

【单项选择题】 在晶体材料中，对于长程有序的原子模式最基本的实体就是（）。

【多项选择题】 从天然硅中获得达到生产半导体器件所需纯度的SGS要经过（）等步骤。

【多项选择题】 BiCMOS技术就是将（）和（）的优良性能集中在同一块集成电路器件中。...

【多项选择题】 MOS场效应管（MOSFET）在20世纪70年代得到了广泛的接受，从那时...

【单项选择题】 由于衬底材料的缘故会自动产生电容，这种电容称为（）。

【多项选择题】 集成电路电阻可以通过（）产生。

【多项选择题】 半导体工艺技术中，器件互连材料通常包括（）等。

【多项选择题】 硅半导体工艺中的绝缘材料主要来源于硅自身产生的（）材料等。

【多项选择题】 材料根据流经材电流的不同可分为三类（）。

【多项选择题】 20世纪上半叶对半导体产业量展做出贡献的4种不同产业主要是（）。

【多项选择题】 晶体管的名字取自于（）和（）两词。

【多项选择题】 由硅片生产的半导体产品，又被称为（）。

【问答题】 设计一个CMOS差分放大器电路，写出其对应的SPICE描述语句并作差模电...

【问答题】 在图中，若所有的晶体管都工作在饱和区，画出Vx从一个大的正值下降时...

【问答题】 在图中，若所有的晶体管都工作在饱和区，求M4的漏电流。

【问答题】 根据图，给出M2管的漏极电流表达式。

【问答题】 目前集成电路版图设计的主流工具有哪些？

【问答题】 为提高CMOS集成电路的抗自锁能力，可在版图设计上采取哪些措施？

【问答题】 编写DRC版图验证文件的主要依据是什么？

【问答题】 版图DRC、ERC和LVS的意义是什么？

【问答题】 从设计的观点出发，版图设计规则应包括哪些部分？

【问答题】 规定版图几何设计规则的意义是什么？

【问答题】 版图设计的基本前提是什么？

【问答题】 比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路，试分析两者存在...

【问答题】 试述两种传输线电感，比较其优缺点。

【问答题】 利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间...

【问答题】 集成电容主要有几种结构？

【问答题】 什么是无源电阻？什么是有源电阻？举例说明。

【问答题】 试用电导率为102 （Ω·cm），厚1μm的材料设计1kΩ的电阻，设...

【问答题】 什么是电阻率？它的单位是什么（国际标准单位制）？

【问答题】 MOS器件按比例缩小后对器件特性有什么影响？

【问答题】 说明MOS器件噪声的来源、成因及减小方法。

【问答题】 MOS器件存在哪些二阶效应？

【问答题】 什么是MOS器件的体效应？

【问答题】 图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管，M1的W L＝12μm 6...

【问答题】 试述MOS管沟道长度L和宽度W与阈值电压的关系。

【问答题】 什么是MOSFET的阈值电压，它受哪些因素影响？

【问答题】 已知突变PN结零偏势垒电容为3pF，内建势垒电压为0.5V，计算10V...

【问答题】 与CMOS工艺相比，GaAs工艺有什么主要特点？

【问答题】 GaAs HEMT与MESFET的主要区别是什么？

【问答题】 目前GaAs工艺有哪几类？

【问答题】 与以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺相比，以N阱CMOS工艺为基础的BiCM...

【问答题】 BiCMOS工艺技术常分为哪两类？它们各有什么特点？

【问答题】 常规双极型工艺需要几次光刻？每次光刻分别有什么作用？

【问答题】 双极、CMO和BiCMOS集成电路器件各有何特点？

【问答题】 为什么在相同工艺条件和相同几何尺寸下NMOS管速度要高于PMOS管？如果...

【问答题】 简述CMOS工艺的基本工艺流程（以1×poly，2×metal N阱为例）。

【问答题】 试述 “鸟嘴”效应是如何产生的？它对MOS器件有什么影响？

【问答题】 列举两种集成电路制造中的器件隔离结构，并比较其优缺点。

【问答题】 IC制造中常采用什么方法形成金属层？它的作用是什么？

【问答题】 掺杂的目的是什么？举出两种掺杂方法并比较其优缺点。

【问答题】 试述曝光时间对设计的图形的影响。

【问答题】 光刻胶正胶和负胶的区别是什么？

【问答题】 简述光刻工艺步骤。

【问答题】 光刻的作用是什么？列举两种常用曝光方式。

【问答题】 比较整版掩模和单片掩模的区别，并列举三种掩模的制造方法。

【问答题】 掩模在IC制造过程中有什么作用？

【问答题】 解释：同质外延、异质外延。

【问答题】 试述晶体外延的意义，列出三种外延方法。

【问答题】 什么叫硅的热氧化？有哪几种热氧化技术？

【问答题】 集成电路主要有哪些基本制造工艺？

【问答题】 试画出MOS器件跨导与源漏电压的函数曲线。

【问答题】 MOS管的跨导系数与哪些参数有关？

【问答题】 什么是MOS管的阈值电压？

【问答题】 MOS器件结构的对称性使其源漏区可以互换，双极型器件是否也具有同样...

【问答题】 PN结的空间电荷区是如何形成的？

【问答题】 试比较p-n结和肖特基结的主要异同点。

【问答题】 解释欧姆型接触和肖特基型接触。

【问答题】 列举两种典型的金属与半导体接触。

【问答题】 试述半导体特性及其应用。

【问答题】 集成电路制造中，导体、半导体和绝缘体各起什么作用？

【问答题】 按规模划分，集成电路的发展已经历了哪几代？

【问答题】 比较标准单元法和门阵列法的差异。

【问答题】 试述“自顶向下”集成电路设计步骤。

【问答题】 试述集成电路的几种主要分类方法。

【问答题】 写出下列英文缩写的全称：IC，MOS，VLSI，SOC，DRC，ERC，LVS，LPE。

【问答题】 解释基本概念：集成电路、集成度、特征尺寸。

【问答题】 简述侧墙工艺目的。

【问答题】 简述轻掺杂漏（LDD）工艺目的。

【问答题】 简述什么是浅槽隔离STI及优点。

【问答题】 简述LOCOS隔离原理。

【问答题】 简述倒掺杂阱技术的步骤。

【问答题】 简述先进的0.18μmCMOS集成电路工艺技术工艺步骤。

【问答题】 简述3.0μm CMOS集成电路工艺技术工艺流程。

【问答题】 简述CMP技术的优点。

【名词解释】 化学机械平坦化（CMP）

【问答题】 简述什么是硅化物及其作用。

【问答题】 简述铜互连的优点及采取的工艺措施。

【问答题】 简述电迁移现象及解决方法。

【问答题】 简述铝的结穿刺现象及解决方法。

【问答题】 简述铝互连的优缺点。

【问答题】 简述高能离子轰击的内容。

【问答题】 简述电镀的优缺点。

【问答题】 简述溅射的优缺点。

【问答题】 简述蒸发的优缺点。

【问答题】 简述沉积多晶硅采用什么CVD工具？掺杂的Poly－Si的主要用途。写出掺...

【问答题】 简述在APCVD SiO2时掺杂PH3，形成磷硅玻璃（PSG）的优缺点。

【问答题】 简述低压CVD系统（LPCVD）的优缺点。

【问答题】 简述常压CVD系统（APCVD）的优缺点。