问答题
简答题 简述常压CVD系统(APCVD)的优缺点。
【参考答案】
质量输运限制为主、气流控制要求高。
优点:沉积速度高。
缺点:膜致密性差、颗粒多,气体消耗大、硅片不......
(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)
点击查看答案
<上一题
目录
下一题>
热门
试题
问答题
简述什么是异类反应和同类反应?
点击查看答案
问答题
描述CVD生长的简化过程。写出影响CVD生长速率的因素。
点击查看答案
相关试题
把半导体级硅的多晶硅块,转换成一块大的单...
在晶体材料中,对于长程有序的原子模式最基...
从天然硅中获得达到生产半导体器件所需纯度...
BiCMOS技术就是将()和()的优良性能集中...
MOS场效应管(MOSFET)在20世纪70年代...