集成电路版图题库_集成电路版图试题_集成电路版图在线答题_集成电路版图搜题在线使用拍照解题

【单项选择题】 一个四输入的或非门，一般采用几个pitch？（）

【单项选择题】 反相器的版图一般用到几个pitch？（）

【单项选择题】 薄栅管ESD保护结构的ESD保护能力通常为多少？（）

【单项选择题】 电源线和地线一般用什么图层来画？（）

【单项选择题】 为了后续连接方便，信号端一般用什么图层引出?（）

【单项选择题】 版图绘制时一般用哪个图层来实现器件连接？（）

【单项选择题】 版图绘制应该在哪个视图中进行？（）

【单项选择题】 如果想在电路图模式下编辑符号，可以选择以下哪个命令？（）

【单项选择题】 关于电路的层次，自下向上顺序正确的是（）。

【单项选择题】 展现电路的逻辑电路连接的是哪种视图模式?（）

【单项选择题】 用四端器件绘制电路图时，NMOS管和PMOS管的衬底连接正确的是（）。

【单项选择题】 在组合电路中，NMOS管串联实现的是什么逻辑？（）

【多项选择题】 MOS管版图一般匹配原则有（）。

【多项选择题】 集成电路版图物理验证必须要做的步骤主要有哪些？（）

【单项选择题】 集成电路再分析软件其处理的主要对象是（）。

【单项选择题】 摩尔定律中每一代集成电路上晶体管密度翻倍值是多少？（）

【判断题】 无论是施加正偏压还是反偏压，MOS电容都是一种线性电容。

【判断题】 MOS结构指的是金属氧化物半导体结构的简称。

【多项选择题】 外延双阱工艺的优点包括（）。

【多项选择题】 CMOS制作时，常常用作钝化层的材料是（）。

【多项选择题】 集成电路的制造工艺，需要采用隔离技术，常见的隔离方法有（）。

【单项选择题】 CMOS工艺中，将PMOS和NMOS的栅进行局部互连的材料是（）。

【单项选择题】 为了实现全局平坦化，在集成电路中，经常采用（）工艺。

【单项选择题】 以下工艺中，方块电阻是一个重要的参数，一般用于衡量（）工艺中杂质情况。

【单项选择题】 在制作MOS管时，采用LOCOS工艺容易出现（）。

【单项选择题】 光刻时，将掩模版直接放在晶圆表面，与表面的光刻胶接触，该种光刻方...

【单项选择题】 源漏注入之后，必须进行（）工艺，修复晶格损伤，激活杂质。

【单项选择题】 未进行掺杂的二氧化硅薄膜，通常简写为（）。

【单项选择题】 我们利用LOCOS技术制作MOS中的（）。

【单项选择题】 显影后，被曝光区域的光刻胶被去除，该种光刻胶称为（）。

【单项选择题】 MOS晶体管的源区、漏区及源、漏之间的沟道区域通常称为（）。

【单项选择题】 氧化层中掺杂了硼杂质，一般称为（）。

【单项选择题】 如果制作栅氧结构，一般采用的方法是（）。

【判断题】 CMOS电路是通过有源区进行隔离的，属于绝缘介质隔离。

【判断题】 STI技术相比LOCOS工艺，占地面积更小，而且不会产生鸟嘴效应。

【判断题】 光刻时，必须将硅片与掩模版进行对准，不同的掩模版之间也要对准，可...

【判断题】 形成接触孔之前，需要先淀积一层PSG或BPSG材料，然后再该层材料上刻...

【判断题】 CMOS是由PMOS和NMOS构成，制作时可以是P阱结构，还可以是N阱结构，更...

【判断题】 MOS管的制作一般经过阱区制作、有源区光刻、栅氧淀积、栅的淀积和光...

【判断题】 当掩模版上的图形转移到下方薄膜材料上时，必须要考虑到光刻胶的性质...

【判断题】 如果掩模版上绝大多数部分是不透光的区域，只有很少一部分透光，这种...

【判断题】 掩模版一般是在石英玻璃涂抹上一定形状的铬等材料，形成明暗相间的图形。

【判断题】 制作MOS管时，一般先进行源的注入，再进行漏的注入。

【判断题】 CMOS制作时，源、漏、栅等结构都做在场氧化区。

【判断题】 LOCOS工艺主要用于制作MOS管的栅氧结构。

【判断题】 制备多晶硅之前先做一层薄氧，这层薄氧是栅氧。

【判断题】 制作场氧区的时候，氮化硅的作用是作为LOCOS氧化时的掩蔽层。

【判断题】 采用双阱工艺，可以实现PMOS和NMOS的独立控制。

【判断题】 利用重掺杂的多晶硅作为MOS管的栅，可以使得MOS电路特性得到改善，阈...

【判断题】 制作MOS管结构时，源漏虽然结构完全对称，但掺杂浓度不同。

【判断题】 linux中命令输完以空格结尾。

【判断题】 全定制设计和半定制设计相比，半定制设计的设计要求更高。

【判断题】 N阱内放置的保护环类型是N+掺杂类型。

【判断题】 使用calibre工具做LVS验证时，需要用到设计规则文件。

【判断题】 在calibre做LVS验证时，RVE界面显示的错误大类主要有端口错误、器件...

【判断题】 电路图与版图对比一致验证的缩写是DRC。

【判断题】 模拟版图绘制中为了增加匹配程度，通常会增加一些电路中不存在的器件...

【判断题】 在标准单元版图自动布线时，一般第1、3、5等层金属走线方向总体相...

【判断题】 版图的布局主要的思路有引线驱动、模块驱动、信号驱动。

【判断题】 一个MOS管其参数中finger width为3.3um，finger为4，则其width...

【判断题】 版图中有源区和场区的关系是互补关系。

【判断题】 在MOS管的版图绘制中，若有两个MOS管有源区共用，则可以判定这2个MO...

【判断题】 在版图绘制时绘制源漏区域的掺杂层图层时可以绘制一个完全包围有源区...

【判断题】 大规模集成电路一般都采用CMOS电路的原因是因为这种电路的理论静态功...

【判断题】 多晶电阻是模拟版图设计中使用的常用电阻。

【判断题】 库的名称不是建库要素之一。

【判断题】 某硅栅工艺设计中，与孔1（接触孔）没有连接关系的图层是多晶层。

【判断题】 版图设计中用于绘制端口的图层类型应使用的图层类型是text类型。

【判断题】 电路原理错误能被cadence中文件菜单栏的“check & save”命令所检...

【判断题】 三八译码器版图设计时通常进行单元的布局，然后根据线路连接关系进行连线。

【判断题】 移位寄存器中的触发器大小对整个移位寄存器的版图没有什么影响。

【判断题】 在设计与或非门标准单元时，为满足DRC要求，通孔与多晶孔的摆放可能...

【判断题】 场管做ESD保护的最大优点是可以节省芯片面积。

【判断题】 在设计与或非门标准单元时，输出走线可能需要作一些改动。

【判断题】 分频器版图设计时，所有触发器最好就近布局。

【判断题】 对于触发器等比较大的数字单元，为了节省面积，版图设计可以将同类型...

【判断题】 或非门中，P管是并联连接的，N管是串联连接的。

【判断题】 为了布局布线更加方便，通常我们将与非门的各端口放在一直线上。

【判断题】 与非门中，P管是并联连接的，N管是串联连接的。

【判断题】 反相器单元的P管的宽长比一般为N管的两倍。

【判断题】 全芯片ESD保护结构和其他几种保护相比，ESD保护能力较弱，但是面积较...

【判断题】 场管的ESD能力跟其漏端面积有主要的关系，漏端面积越大其ESD能力越小。

【判断题】 晶闸管整流器ESD保护结构中，PNPN结构内有NPN和PNP之间的负反馈，提...

【判断题】 每个标准单元内都必须设置衬底接触孔。

【判断题】 标准单元的高度应该由一铝的Pitch来决定。

【判断题】 若要统一网格尺寸，一般采用芯片上尺寸要求最小的那个工艺层上的尺寸。

【判断题】 标准单元中端口的引出只可以用通孔引出。

【判断题】 标准单元的宽度应该是网格间距的整数倍。

【判断题】 同一种工艺中，标准单元的高度应该都相同。

【判断题】 DRC是验证版图与电路图是否匹配。

【判断题】 修改LVS错误时，一般先修改port错误，再修改instance错误。

【判断题】 功能仿真必须要在电路图模式下进行。

【判断题】 CMOS传输门是由一个NMOS管构成的。

【判断题】 D触发器是双稳态电路，可以存储1位二进制数。

【判断题】 电路符号可以告诉我们电路功能和特性，不能说明内部结构。

【判断题】 添加Pin端口时需要在LSW中选择相应的图层，否则无法正确添加端口。

【判断题】 LVS验证完成后，需在版图设计窗口选择Launch-Dracula Interactive...

【判断题】 Dracula的DRC验证是对版图gds文件进行验证，因此在进行Dracula验证之...

【判断题】 版图布局布线时，可以考虑用有源区、多晶等材料完成布线。

【判断题】 图层的颜色决定了图层的性质和作用。