单项选择题

摩尔定律中每一代集成电路上晶体管密度翻倍值是多少？（）

A.1倍
B.2倍
C.3倍
D.4倍

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多项选择题
外延双阱工艺的优点包括（）。

A.实现N阱和P阱独立控制
B.更平坦的表面
C.做在阱区内的器件可以减少受到α粒子辐射的影响
D.抑制闩锁效应
多项选择题
CMOS制作时，常常用作钝化层的材料是（）。

A.氮化硅
B.二氧化硅
C.多晶硅
D.单晶硅
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