判断题

CMOS制作时，源、漏、栅等结构都做在场氧化区。

【参考答案】

错误

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判断题
LOCOS工艺主要用于制作MOS管的栅氧结构。
判断题
制备多晶硅之前先做一层薄氧，这层薄氧是栅氧。
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