采用双阱工艺，可以实现PMOS和NMOS的独立控制。

利用重掺杂的多晶硅作为MOS管的栅，可以使得MOS电路特性得到改善，阈值电压下降。 点击查看答案&解析

制作MOS管结构时，源漏虽然结构完全对称，但掺杂浓度不同。 点击查看答案&解析