单项选择题
在制作MOS管时,采用LOCOS工艺容易出现()。
A.沟道效应
B.鸟嘴效应
C.寄生效用
D.闩锁效应
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试题
单项选择题
光刻时,将掩模版直接放在晶圆表面,与表面的光刻胶接触,该种光刻方式称为()。
A.接触式
B.接近式
C.投影式
D.步进式
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单项选择题
源漏注入之后,必须进行()工艺,修复晶格损伤,激活杂质。
A.氧化
B.快速热处理
C.退火
D.扩散
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