单项选择题
A.GDS II文件B.实物芯片照片C.cadence中绘制的版图D.芯片电路图
A.1倍B.2倍C.3倍D.4倍
A.实现N阱和P阱独立控制B.更平坦的表面C.做在阱区内的器件可以减少受到α粒子辐射的影响D.抑制闩锁效应