直拉单晶硅工艺学题库_直拉单晶硅工艺学试题_直拉单晶硅工艺学在线答题_直拉单晶硅工艺学搜题在线使用拍照解题

【问答题】 直拉硅单晶工艺中，经常采用什么措施降低单晶中的氧碳含量？

【问答题】 单晶中的杂质析出和杂质条纹对单晶质量危害很大，应尽量消除。生产中...

【问答题】 简述缩颈工艺能排除籽晶中原生和新生位错的原理。

【问答题】 晶体生长过程中由于受到多因素影响，熔体会产生不稳定的对流—湍流，...

【问答题】 晶体旋转和坩埚旋转对单晶生长界面有何影响？

【问答题】 哪些因素影响单晶生长界面，如何影响？

【问答题】 直拉单晶生长界面为什么出现凸、平、凹变化？

【问答题】 在直拉单晶整个生长过程中，热传输方式如何变化？

【问答题】 拉制硅单晶时，杂质蒸发和哪些因素有关？

【问答题】 如何理解用正常凝固解释和计算直拉硅单晶中杂质分凝和杂质分布是成功的？

【问答题】 普凡方程和导出方程过程中的一些假设称为BPS模型。提出这个模型是对...

【问答题】 多晶硅熔完后，无任何机械振动干扰，熔硅表面发生波动的现象，称为温...

【问答题】 所谓“跳硅”，指熔硅在坩埚中沸腾现象。跳硅厉害时熔硅跳出坩埚外，...

【问答题】 光图象法做籽晶定向的原理是什么？

【问答题】 多晶硅、石英坩埚、籽晶、母合金等在生产、加工、运输储存过程中被沾...

【问答题】 生长直拉硅单晶用的多晶硅原料，大多数是用硅芯、钼丝或钽管作发热体...

【问答题】 在单晶硅生产中，为什么要制取高纯水？

【问答题】 沿方向生长硅单晶与沿方向生长硅单晶热场有何不同？为什么不同？

【问答题】 直拉单晶炉热场的纵向温度梯度和径向温度梯度对拉晶有何影响？

【问答题】 直拉单晶炉的合理热场条件是什么？

【问答题】 什么叫热场？

【问答题】 什么叫直拉单晶炉的热系统？

【问答题】 设计加热器时一般需要关注哪几个参数？

【问答题】 如何理解晶体生长时，各晶面的法向生长速度不同，面密度大的晶面，面...

【问答题】 假设一炉只拉一根晶体，那么随着单晶的生长长度变化到最后拉晶结束，...

【问答题】 一个热系统，合理的热场温度分布应该是怎样的？

【问答题】 怎样安装调试直拉单晶炉？

【问答题】 怎样使用旋片真空泵和扩散泵，使用时应注意哪些问题？

【问答题】 直拉单晶炉由几大部分组成？

【问答题】 两级旋片式真空泵比单级旋片真空泵有哪些优点？

【问答题】 晶体生长和晶体表面有何关系？

【问答题】 什么叫熔体过冷度？

【问答题】 晶体熔化时，在熔化温度和时间的关系曲线上为什么出现温度平台？

【问答题】 从晶体生长的动力学过程看，哪种过程对生长速率起支配作用？

【问答题】 简述二维晶核的形成机理。

【问答题】 许多晶体从稀薄环境相中生长，可作为完整突变光滑面的生长，这种类型...

【问答题】 导致石英坩埚变形的可能的原因有哪些？

【问答题】 在拉晶过程中经常会遇到石英坩埚变形，简单介绍一下石英坩埚变形可能...

【问答题】 石英坩埚在高温下具有趋向变成二氧化硅的晶体（方石英）。这个过程称...

【问答题】 描述择优腐蚀法检测位错的原理。

【问答题】 径向电阻率变化RRV计算公式有哪两种？

【问答题】 简述硅中氧、碳含量检测的原理。

【问答题】 简述陷阱效应的表现和消除方法。

【问答题】 什么是少子寿命检测中的陷阱效应？

【问答题】 哪些因素决定少子寿命？

【问答题】 半导体材料的电阻率测试需要注意哪些事项？

【问答题】 热探针法的测试型号的原理是什么？

【填空题】 固液两相的杂质浓度的比值称为（）。

【问答题】 简述分凝现象。

【问答题】 简述电子导电的原理。

【问答题】 简述空穴导电的原理。

【问答题】 简述西门子法制备高纯多晶硅的原理，及其反映方程式？

【填空题】 当半导体材质中的受主杂质电离时，受主杂质从价带中俘获一个电子，在...

【填空题】 单晶硅中（）（简称寿命）是硅单晶的一个重要参数。

【填空题】 硅单晶中旋涡腐蚀分布图样很多，但基本上可分为二大类：（）分布和（）分布。

【填空题】 直拉单晶硅中，除线缺陷、面缺陷，析出和杂质条纹外，在无错单晶中，...

【填空题】 晶体和坩埚旋转严重影响单晶中的（）含量。

【填空题】 氧原子在硅单晶中大部以（）状态存在，碳原子在硅单晶中处于（）状态。

【填空题】 各种面缺陷的形成都和（）形成有关。

【填空题】 单晶尾面脱离熔硅后，由于（）作用往往产生位错，沿滑移面向单晶内部延伸。

【填空题】 硅单晶是典型的（）结构，并且是（）结合，（）是硅单晶的主要滑移面。

【填空题】 位错滑移只扩大滑移区，攀移需要（）扩散，伴有质量输送。

【填空题】 三个或更多的位错相遇一点时（节点），各位错的柏格矢量的为零，称为（）。

【填空题】 晶体是由分子、原子或离子组成的，这些微粒在晶体中按一定规律（）、...

【填空题】 平坦的生长界面在单晶生长中保持一段时间后逐渐（）熔体，这是因为晶...

【填空题】 晶体生长过程中，（）必须从界面附近导走，晶体才能保持稳态生长。

【填空题】 从熔体生长晶体的热量输送，涉及热输送方式、（）的形态、熔体与晶体...

【填空题】 （）是在物体受热后，物体中的电子振动或跃迁对外发出辐射能。

【填空题】 （）是流体流过固体表面时相互间的换热方式或流体内部温度不均通过流...

【填空题】 （）是一种通过物质内部原子的热振动来传递的方式。

【填空题】 单晶中径向杂质分布在单晶生长过程中既受（）的影响，又受到（）和（...

【填空题】 K有效受晶体生长速度即（）和（）影响。

【填空题】 计算杂质的分凝系数时，（）中的杂质原子总数加（）中的杂质原子总数...

【填空题】 生长电阻率为10-2欧姆•厘米至10-4欧姆•厘米硅单晶时，硅单...

【填空题】 以硅为例，若硅的纯度为9个“9”，即1立方厘米中含硅原子的百分数...

【填空题】 硅单晶中含有0.1PPba的硼时，一立方厘米硅中所含的硼原子数为（）。

【填空题】 电离杂质原子使（）减小，使电阻率增大。

【填空题】 施主杂质和受主杂质大大改变（），使电阻率减小。

【填空题】 当平衡分凝系数大于1时，物质通过正常凝固，头部溶质（），则熔体内...

【填空题】 对于平衡分凝系数K0大于1的杂质，生长界面（）这些杂质，即生长界...

【填空题】 有效分凝系数K有效与平衡分凝系数K0的关系式是由于•A•Burton，R•...

【填空题】 在生产中，熔体必然以一定速度凝固，分凝系数必然是K有效而不是K0，...

【填空题】 由于生长速度和熔体搅拌综合作用，导致平衡分凝系数和实际分凝系数不...

【填空题】 理论分析和实践证明，同一熔体分凝系数大小和（）、（）有关。

【填空题】 当杂质的K0大于1时，杂质的引入使硅熔点（），固相中杂质浓度（）...

【填空题】 当杂质的K0小于1时，杂质的引入使硅熔点（），固相中杂质浓度（）...

【填空题】 我们称二元系统固液两相平衡时，（）和（）的比为平衡分凝系数。

【填空题】 不同的晶体结构，晶体的原子跳动方式也不同，常见的有（）、（）、（）。

【填空题】 静止恒温的熔体中，溶质的运动主要是（），流动熔体的溶质运动主要是（）。

【填空题】 扩散是物质内部原子或分子的（）引起的，是一种宏观现象。

【填空题】 物质的扩散流量，即单位时间内通过单位横截面积所输送的物质量是和这...

【填空题】 菲克1855年通过观测得到的菲克第一定律是用来描述（）的。

【填空题】 相对来说，生产的单晶硅的电阻率越低，需要用在硅中（）的元素进行掺杂。

【填空题】 不同杂质在硅中的固溶度差别很大。两种元素原子半径差别越大，溶解度...

【填空题】 缩颈是为了排除引出单晶中的（）。

【填空题】 引晶下种时，由于籽晶和熔硅温差大，（）对籽晶造成强烈的热冲击，产...

【填空题】 籽晶定向有三种方法，（），（）和（）。

【填空题】 拉制的硅单晶沿[111]晶向生长的有（）的棱线，沿[100]晶向...

【填空题】 籽晶是生长晶体的种子，也叫晶种，用籽晶引单晶，就是在将结晶的熔体...

【填空题】 对于多晶硅、籽晶、母合金上的油污光用丙酮或苯去掉，石英坩埚表面的...