填空题

理论分析和实践证明,同一熔体分凝系数大小和()、()有关。

【参考答案】

生长界面的推进速度(生长速度);熔体的搅拌
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填空题
当杂质的K0大于1时,杂质的引入使硅熔点(),固相中杂质浓度(),杂质在硅单晶头部聚集。
填空题
当杂质的K0小于1时,杂质的引入使硅熔点(),固相中杂质浓度(),杂质在硅单晶尾部聚集。
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