填空题

单晶尾面脱离熔硅后,由于()作用往往产生位错,沿滑移面向单晶内部延伸。

【参考答案】

热应力
<上一题 目录 下一题>
热门 试题

填空题
硅单晶是典型的()结构,并且是()结合,()是硅单晶的主要滑移面。
填空题
位错滑移只扩大滑移区,攀移需要()扩散,伴有质量输送。
相关试题
  • 直拉硅单晶工艺中,经常采用什么措施降低单...
  • 单晶中的杂质析出和杂质条纹对单晶质量危害...
  • 简述缩颈工艺能排除籽晶中原生和新生位错的...
  • 晶体生长过程中由于受到多因素影响,熔体会...
  • 晶体旋转和坩埚旋转对单晶生长界面有何影响?