微电子器件与IC设计基础题库_微电子器件与IC设计基础试题_微电子器件与IC设计基础在线答题_微电子器件与IC设计基础搜题在线使用
【问答题】 为什么经典物理无法准确描述电子的状态？在量子力学中又是用什么方法...
【问答题】 量子力学中用什么来描述波函数的时空变化规律？
【问答题】 为什么说本征载流子浓度与温度有关？
【问答题】 什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？
【问答题】 试比较N型半导体与P型半导体的异同。
【问答题】 从能带的角度说明杂质电离的过程。
【问答题】 什么是迁移率？什么是扩散系数？二者有何关系？
【问答题】 说明载流子的两种输运机制，并比较它们的异同。
【问答题】 什么是费米能级？什么是准费米能级？
【问答题】 什么是扩散长度？扩散长度与非平衡少数载流子寿命有何关系？
【问答题】 简述半导体材料的导电机理。
【问答题】 计算速度为107cm s的自由电子的德布洛意波长。
【问答题】 如果在单晶硅中分别掺入1015 cm3的磷和1015 cm3的硼，试...
【问答题】 硅中的施主杂质浓度最高为多少时材料是非简并的？
【问答题】 某单晶硅样品中每立方厘米掺有1015个硼原子，试计算K300时该...
【问答题】 某硅单晶样品中掺有1016cm-3的硼、1016cm-3的磷和101...
【问答题】 有两块单晶硅样品，它们分别掺有1015cm-3的硼和磷，试计算30...
【问答题】 实验测出某均匀掺杂N型硅的电阻率为2Ω·cm，试估算施主杂质浓度。
【问答题】 假设有一块掺有1018cm-3施主杂质的硅样品，其截面积为0.2μ...
【问答题】 有一块掺杂浓度为1017cm-3的N型硅样品，如果在1μm的范围内，...
【问答题】 光照射在一块掺杂浓度为1017cm-3的N型硅样品上，假设光照引起...
【问答题】 写出下列状态下连续性方程的简化形式： （1）无浓度梯度、无外加电...
【问答题】 PN结的扩散电势与哪些因素有关？
【问答题】 现有硅、锗PN结各一，其掺杂浓度均为ND=5×1015cm-3，NA=1...
【问答题】 证明通过PN结的空穴电流与总电流之比为。
【问答题】 证明反向饱和电流可以改写为。
【问答题】 PN结两边杂质浓度和宽度均相等，且两边宽度小于相应的少子扩散长度，...
【问答题】 硅PN结N区电阻率Pn=5Ω·cm、tp=1μs，P区电阻率Pp=0.1Ω·c...
【问答题】 Si的PN结中ND=1016cm-3、DP=13cm2 s、LP=2×10-3c...
【问答题】 硅、锗PN结各一，其掺杂浓度均为NA=1818cm-3、ND=1015cm...
【问答题】 试计算温度从300K增加至400K时，硅PN结反向电流增大多少倍？如...
【问答题】 理想硅PN结，ND=1016cm-3，在IV正偏压下，求N型中性区内存储...
【问答题】 硅扩散PN结，结面积为10-5cm2，结深为3μm，衬底浓度为N0=1...
【问答题】 把一个PN结硅二极管作变容二极管用，结两侧掺杂浓度分别为NA=101...
【问答题】 画出NPN双扩散外延平面管的截面结构图，并且标明其相应纵向结构参数...
【问答题】 试论BJT为什么具有对微弱电信号的放大能力？怎样提高BJT的电流放大系...
【问答题】 画出VBE＞0，VBC＜0，偏置条件下各区少子分布图及内部各电流分量流...
【问答题】 晶体管中BVEBO，BVCBO，BVCEO的含义是什么？大小关系如何？怎样提高...
【问答题】 IEBO，ICBO，ICEO，ICS，IES的含义如何？大小关系怎样？
【问答题】 晶体管的基极电阻是怎样产生的？对BJT的特性有哪些影响？怎样减小BJT...
【问答题】 证明共射极状态下的Ebers-Moll方程可以表示为： 画出此时的等效电...
【问答题】 晶体管的基区宽度Wb和基区杂质浓度Nb和晶体管的哪些特性有关？
【问答题】 一均匀基区NPN晶体管，Wb=1μm，Lnb=10μm，Lpe=5μm，pe=0...
【问答题】 一NPN硅平面晶体管，基区宽度Wb=1μm，基区杂质浓度呈线性分布，若...
【问答题】 NPN双极晶体管，NE=108cm-3，NB=1016cm-3，We=0.5...
【问答题】 试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差异。
【填空题】 当MOSFET器件按照恒场法则等比例缩小时，器件的最高工作频率将（）。
【填空题】 当MOSFET的沟道长度很小时，阈值电压将随着沟道长度的减小而（），该...
【填空题】 要提高MOSFET的跨导，需要（）沟道长度和栅氧化层厚度。
【填空题】 当MOSFET处于亚阈区时，漏源电流与栅压呈（）关系。
【填空题】 通过对沟道区进行离子注入可调整MOSFET的阈值电压，当注入的杂质与衬...
【填空题】 当在N型MOSFET的衬底加上一个负电位时，MOSFET的阈电压会（），这称...
【填空题】 MOSFET的基本工作原理，是通过改变栅源电压来控制沟道的导电能力，从...
【填空题】 IES代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流，相当于单独一个（）...
【填空题】 共发射极电路中，基极电流IB是输入电流，集电极电流IC是输出电流。发...
【填空题】 功率增益与频率平方的乘积称为晶体管的（），记为M。
【填空题】 当N型MOSFET的温度降低时，器件的阈值电压将（）。
【填空题】 当MOSFET处于亚阈区时，衬底表面的少子浓度介于本征载流子浓度与衬底...
【填空题】 当MOSFET的沟道宽度很小时，阈值电压将随着沟道宽度的增加而（）。
【判断题】 PN结正偏时，势垒高度降低。这就意味着n型侧中性区和p型侧中性区有更...
【判断题】 正偏PN结中，耗尽区边界的少子小于平衡态少子。
【判断题】 在正偏时，从P区注入N区的非平衡空穴，其浓度在N区中随距离作指数式...
【判断题】 正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值，这导致了该区...
【判断题】 当PN结发生大注入时，将产生自建电场，该电场的作用是阻止多子流动，...
【判断题】 由于PN结二极管具有单向导电性，所以可当作开关使用。当二极管处于正...
【判断题】 基区中到达集电结的少子电流与从发射区注入基区的少子形成的电流之比...
【判断题】 IES代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流。
【判断题】 对于一个N型MOSFET，为了保证器件正常工作，衬底电位应当等于或低于...
【判断题】 MOSFET的沟道夹断总是先于速度饱和发生。
【判断题】 当MOSFET的漏极电流较小时，随着温度的温度升高，漏极电流将减小。
【判断题】 由于MOSFET的栅氧化层电荷通常带正电，因此N型衬底将更难发生反型。
【判断题】 对于P型的MOSFET，其衬底相对于源区应该接低电位。
【判断题】 当硅表面处的少子浓度达到或超过体内平衡多子浓度时，称表面发生了强反型。
【判断题】 一个增强型P沟道MOSFET，其阈值电压应该小于零。
【判断题】 电流放大系数与频率成反比，频率每提高一倍，电流放大系数下降一半，...
【判断题】 减薄p+n突变结的轻掺杂区厚度，不但能减少存储电荷，还能降低反向...
【判断题】 反向偏置饱和电流可看成是由中性区内少数载流子的产生而导致的。
【判断题】 PN结的p型和n型间的势垒随正向偏压而升高。
【判断题】 根据耗尽近似得到的结，电场强度正好在冶金结分界处达到最大值。
【判断题】 欧姆接触降低了结的内建电压。
【判断题】 通过引入耗尽近似，耗尽层内部的电荷密度完全正比于净杂质浓度。
【判断题】 通常的内建电势小于禁带宽度对应的电压值。
【判断题】 冶金结附近的空间电荷是由p型一侧电子和n型一侧空穴的积累引起的。
【判断题】 P沟道的短沟道MOSFET 更容易发生横向双极击穿。
【判断题】 MOSFET的沟道夹断总是先于速度饱和发生。
【判断题】 当硅表面处的少子浓度达到或大于表面多子浓度时，称表面发生了强反型。
【判断题】 一个P沟道MOSFET的阈值电压大于零，则该器件是增强型器件。
【判断题】 从发射区注入基区的多子形成的电流与总的发射极电流之比，称为注入效率。
【判断题】 由于平面晶体管的基区宽度容易做得很小，加上基区中存在加速场，因...
【判断题】 采用方块电阻来表示双极型晶体管，无论是均匀基区晶体管还是缓变基区...
【判断题】 输出端对高频小信号短路（即vcb=0，但VCB＜0）条件下的ic与ie之比...
【判断题】 随着频率的不断提高，晶体管的电流放大能力将会不断降低甚至丧失。
【判断题】 增大VA的措施是增大基区宽度、减小势垒区宽度。
【判断题】 防止基区穿通的措施是提高WB与NB 。
【判断题】 在异质结双极型晶体管中，通常将发射结作成异质结，即用宽禁带材料...
【判断题】 发射结正偏、集电极零偏时的IC与IB之比称为共发射极直流短路电流放大...
【判断题】 PN结的扩散电容来源于中性区非平衡载流子电荷随外加电压的变化。
【判断题】 一般说来，当势垒区较宽时，即杂质浓度或杂质浓度梯度较小时，容易发...
【判断题】 所谓小注入条件，是指注入某区边界附近的非平衡少子浓度远小于该区的...
【判断题】 在平衡态时，多子的漂移运动与少子的扩散运动达到动态平衡，从而使...
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