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【单项选择题】 时序电路的最大工作频率与下列哪个参数无关？（）

【单项选择题】 下列哪项不影响register-to-register之间的建立时间检查？（）

【单项选择题】 下列哪种不属于时序路径？（）

【多项选择题】 可编程器件的编译是把RTL代码编程物理器件上可以实现的电路，编译过...

【多项选择题】 一般来说，对于一个可编程器件，要保证设计对各类资源的占用尽可能不...

【单项选择题】 关于标准单元库，以UMC的0.18标准单元库为例，这里的0.18代...

【单项选择题】 综合过程的第一步是把我们的HDL的源代码映射到一个通用的工艺库上，...

【多项选择题】 降低电路的功耗，以下哪些措施是可行的？（）

【多项选择题】 电路设计所能达到的时钟频率与哪些要素直接相关？（）

【多项选择题】 下面器件中属于宏单元的有哪些？（）

【单项选择题】 下列哪种原件不具有记忆功能？（）

【单项选择题】 D触发器不可以实现以下哪种功能？（）

【单项选择题】 在同一个always块中，（）。

【单项选择题】 下面电路模块的输入矢量哪种表达方式是正确的？（）

【单项选择题】 wire类型的缺省值是（），reg类型的缺省值是（）。

【单项选择题】 下面关于Verilog电路的说法错误的是（）。

【单项选择题】 Verilog标书电路单元最基本的结构是（）。

【多项选择题】 下列哪种触发器是边沿型的？（）

【单项选择题】 下列哪个选项正确描述了Moore电路和Mealy电路输出信号的特点？（）

【单项选择题】 下列哪个选项是时序逻辑电路的特征？（）

【单项选择题】 下列哪项不是逻辑电路的特点？（）

【单项选择题】 组合逻辑电路设计中，下列哪项可以用软件去完成？（）

【单项选择题】 组合逻辑电路设计中，确定输入输出的逻辑状态的方法不包括下列哪项？（）

【单项选择题】 将所设计的数字电路变成产品的门槛在逐渐提高，下面不属于其中原因的是（）。

【单项选择题】 以下三种数字系统的实现方式，从一般性的角度来说，实现系统的性能最...

【单项选择题】 下面属于数字集成系统通常包含的外设接口的是（）。

【单项选择题】 下列不属于ASSP特点的是（）。

【单项选择题】 使用标准器件，例如门电路等搭建的数字系统称为（）。

【单项选择题】 我国集成电路主要来源（）。

【单项选择题】 CMOS集成电路的半导体指的是哪种材料？（）

【单项选择题】 Intel创始人戈登·摩尔所阐述的“摩尔定律”的内容是什么？（）

【单项选择题】 以下封装形式中，最为先进的是（）。

【单项选择题】 集成电路封装的主要目的是（）。

【单项选择题】 在晶圆上直接切割下来的集成电路裸片，称为（）。

【单项选择题】 集成电路的应用领域主要有哪些？（）

【填空题】 当MOSFET器件按照恒场法则等比例缩小时，器件的最高工作频率将（）。

【填空题】 当MOSFET的沟道长度很小时，阈值电压将随着沟道长度的减小而（），该...

【填空题】 要提高MOSFET的跨导，需要（）沟道长度和栅氧化层厚度。

【填空题】 当MOSFET处于亚阈区时，漏源电流与栅压呈（）关系。

【填空题】 通过对沟道区进行离子注入可调整MOSFET的阈值电压，当注入的杂质与衬...

【填空题】 当在N型MOSFET的衬底加上一个负电位时，MOSFET的阈电压会（），这称...

【填空题】 MOSFET的基本工作原理，是通过改变栅源电压来控制沟道的导电能力，从...

【填空题】 IES代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流，相当于单独一个（）...

【填空题】 共发射极电路中，基极电流IB是输入电流，集电极电流IC是输出电流。发...

【填空题】 功率增益与频率平方的乘积称为晶体管的（），记为M。

【填空题】 当N型MOSFET的温度降低时，器件的阈值电压将（）。

【填空题】 当MOSFET处于亚阈区时，衬底表面的少子浓度介于本征载流子浓度与衬底...

【填空题】 当MOSFET的沟道宽度很小时，阈值电压将随着沟道宽度的增加而（）。

【判断题】 PN结正偏时，势垒高度降低。这就意味着n型侧中性区和p型侧中性区有更...

【判断题】 正偏PN结中，耗尽区边界的少子小于平衡态少子。

【判断题】 在正偏时，从P区注入N区的非平衡空穴，其浓度在N区中随距离作指数式...

【判断题】 正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值，这导致了该区...

【判断题】 当PN结发生大注入时，将产生自建电场，该电场的作用是阻止多子流动，...

【判断题】 由于PN结二极管具有单向导电性，所以可当作开关使用。当二极管处于正...

【判断题】 基区中到达集电结的少子电流与从发射区注入基区的少子形成的电流之比...

【判断题】 IES代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流。

【判断题】 对于一个N型MOSFET，为了保证器件正常工作，衬底电位应当等于或低于...

【判断题】 MOSFET的沟道夹断总是先于速度饱和发生。

【判断题】 ​当MOSFET的漏极电流较小时，随着温度的温度升高，漏极电流将减小。

【判断题】 由于MOSFET的栅氧化层电荷通常带正电，因此N型衬底将更难发生反型。

【判断题】 ​对于P型的MOSFET，其衬底相对于源区应该接低电位。

【判断题】 当硅表面处的少子浓度达到或超过体内平衡多子浓度时，称表面发生了强反型。

【判断题】 ​一个增强型P沟道MOSFET，其阈值电压应该小于零。

【判断题】 电流放大系数与频率成反比，频率每提高一倍，电流放大系数下降一半，...

【判断题】 ‏减薄p+n突变结的轻掺杂区厚度，不但能减少存储电荷，还能降低反向...

【判断题】 ‌反向偏置饱和电流可看成是由中性区内少数载流子的产生而导致的。

【判断题】 ‎PN结的p型和n型间的势垒随正向偏压而升高。

【判断题】 根据耗尽近似得到的结，电场强度正好在冶金结分界处达到最大值。

【判断题】 ​欧姆接触降低了结的内建电压。

【判断题】 ‌通过引入耗尽近似，耗尽层内部的电荷密度完全正比于净杂质浓度。

【判断题】 ‍通常的内建电势小于禁带宽度对应的电压值。

【判断题】 ​冶金结附近的空间电荷是由p型一侧电子和n型一侧空穴的积累引起的。

【判断题】 ‎P沟道的短沟道MOSFET 更容易发生横向双极击穿。

【判断题】 ​MOSFET的沟道夹断总是先于速度饱和发生。

【判断题】 当硅表面处的少子浓度达到或大于表面多子浓度时，称表面发生了强反型。

【判断题】 ‌一个P沟道MOSFET的阈值电压大于零，则该器件是增强型器件。‍

【判断题】 ​从发射区注入基区的多子形成的电流与总的发射极电流之比，称为注入效率。

【判断题】 ‎由于平面晶体管的基区宽度容易做得很小，加上基区中存在加速场，因...

【判断题】 采用方块电阻来表示双极型晶体管，无论是均匀基区晶体管还是缓变基区...

【判断题】 输出端对高频小信号短路（即vcb=0，但VCB＜0）条件下的ic与ie之比...

【判断题】 随着频率的不断提高，晶体管的电流放大能力将会不断降低甚至丧失。

【判断题】 ‎增大VA的措施是增大基区宽度、减小势垒区宽度。

【判断题】 防止基区穿通的措施是提高WB与NB 。

【判断题】 ‌在异质结双极型晶体管中，通常将发射结作成异质结，即用宽禁带材料...

【判断题】 发射结正偏、集电极零偏时的IC与IB之比称为共发射极直流短路电流放大...

【判断题】 ‌PN结的扩散电容来源于中性区非平衡载流子电荷随外加电压的变化。

【判断题】 一般说来，当势垒区较宽时，即杂质浓度或杂质浓度梯度较小时，容易发...

【判断题】 所谓小注入条件，是指注入某区边界附近的非平衡少子浓度远小于该区的...

【判断题】 ‏在平衡态时，多子的漂移运动与少子的扩散运动达到动态平衡，从而使...

【判断题】 单边突变结的耗尽区主要分布在重掺杂的一侧，最大电场与耗尽区宽度主...

【多项选择题】 长时间的热电子效应可能会对MOSFET的器件性能产生哪些影响？（）

【多项选择题】 MOSFET发生速度饱和之后，以下哪些物理量将与沟道长度不相关？（）

【多项选择题】 以下哪些措施可以提高MOSFET的跨导？（）

【多项选择题】 在实测的晶体管输出特性曲线中，IC在放大区随VCE的增加而略有增加，...

【单项选择题】 在平衡状态下，电子的电流密度（）。

【多项选择题】 单边突变结的（）主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。

【多项选择题】 输运方程由电子电流密度和空穴电流密度构成，当载流子的迁移率和扩散...

【多项选择题】 ‎短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象？（）

【多项选择题】 ‍以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流？（）

【多项选择题】 ‎防止基区穿通的措施是提高（）。