判断题
从发射区注入基区的多子形成的电流与总的发射极电流之比,称为注入效率。
【参考答案】
错误
(↓↓↓ 点击‘点击查看答案’看答案解析 ↓↓↓)
点击查看答案&解析
<上一题
目录
下一题>
热门
试题
判断题
由于平面晶体管的基区宽度容易做得很小,加上基区中存在加速场,因此平面晶体管的β*与1非常接近。
点击查看答案&解析
判断题
采用方块电阻来表示双极型晶体管,无论是均匀基区晶体管还是缓变基区晶体管,其表达式都是一样的。
点击查看答案&解析
相关试题
时序电路的最大工作频率与下列哪个参数无关...
下列哪项不影响register-to-register之间...
下列哪种不属于时序路径?()
可编程器件的编译是把RTL代码编程物理器件...
一般来说,对于一个可编程器件,要保证设计...