当硅表面处的少子浓度达到或大于表面多子浓度时，称表面发生了强反型。

‌一个P沟道MOSFET的阈值电压大于零，则该器件是增强型器件。‍ 点击查看答案&解析

​从发射区注入基区的多子形成的电流与总的发射极电流之比，称为注入效率。 点击查看答案&解析