多项选择题
在实测的晶体管输出特性曲线中,I
C
在放大区随V
CE
的增加而略有增加,这是由()造成的。
A.基区宽度调变效应
B.有效沟道长度调制效应
C.电导调制效应
D.厄尔利效应
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单项选择题
在平衡状态下,电子的电流密度()。
A.等于0
B.大于0
C.小于0
D.大于等于0
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多项选择题
单边突变结的()主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。
A.内建电势
B.耗尽区宽度
C.最大电场
D.势垒高度
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