‏减薄p+n突变结的轻掺杂区厚度，不但能减少存储电荷，还能降低反向抽取电流。

‌反向偏置饱和电流可看成是由中性区内少数载流子的产生而导致的。 点击查看答案&解析

‎PN结的p型和n型间的势垒随正向偏压而升高。 点击查看答案&解析