‏在平衡态时，多子的漂移运动与少子的扩散运动达到动态平衡，从而使得扩散电流等于漂移电流。

单边突变结的耗尽区主要分布在重掺杂的一侧，最大电场与耗尽区宽度主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。 点击查看答案&解析

长时间的热电子效应可能会对MOSFET的器件性能产生哪些影响？（）

A.阈值电压增大
B.跨导增大
C.亚阈区特性恶化
D.漏源击穿电压增加

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