单项选择题
A.后烘 B.去水烘烤 C.软烤 D.烘烤
A.进行去水烘烤以保证晶片干燥 B.在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好 C.刚刚处理好的晶片应立即涂胶 D.贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥 E.也可以直接使用贮存的晶片
A.150－200℃ B.200℃左右 C.250℃左右 D.300℃左右