集成电路制造工艺员（三级）题库_集成电路制造工艺员（三级）试题_集成电路制造工艺员（三级）在线答题_集成电路制造工艺员（三级）搜题在线使用

【单项选择题】 人类的职业道德真正形成于（）。

【单项选择题】 奉献社会的实质是（）。

【单项选择题】 企业的战略一般由四个要素组成，即经营范围、资源配置、竞争优势以及...

【单项选择题】 point defect的意思是（）。

【单项选择题】 dry vacuum pump的意思是（）。

【单项选择题】 thermal conductivity gauge的意思是（）。

【单项选择题】 TCP IP协议中的TCP相当于OSI中的（）。

【单项选择题】 局域网中使用中继器的作用是（）。

【单项选择题】 采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。

【多项选择题】 下列物质中是结晶形态二氧化硅的有（）。

【单项选择题】 采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。

【单项选择题】 二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。

【单项选择题】 下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。

【单项选择题】 干氧氧化中，氧化炉内的气体压力应（）一个大气压。

【单项选择题】 干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（）。

【多项选择题】 干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。

【单项选择题】 当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间（）。

【单项选择题】 当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。

【多项选择题】 （）的方法有利于减少热预算。

【单项选择题】 表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。

【单项选择题】 二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅...

【单项选择题】 硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。

【单项选择题】 钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。

【多项选择题】 二氧化硅层中的钠离子可能来源于（）。

【多项选择题】 解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。

【多项选择题】 二氧化硅膜的质量要求有（）。

【多项选择题】 二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。

【多项选择题】 扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶...

【多项选择题】 扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在...

【单项选择题】 扩散工艺现在广泛应用于制作（）。

【单项选择题】 对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。

【单项选择题】 固体中的扩散模型主要有填隙机制和（）。

【单项选择题】 在空位扩散中，如果迁移到空位的原子是基质原子，扩散属于（）。

【单项选择题】 在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。

【单项选择题】 菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。

【单项选择题】 一般分析扩散系数，考虑两种条件，即恒定表面浓度条件和（）。

【单项选择题】 恒定表面浓度的条件下，在整个扩散期间，（）保持恒定表面浓度。

【单项选择题】 我们可以通过简单的结深测量和（）测量来获得扩散层的重要信息。

【单项选择题】 在确定扩散率的测结深实验中，结深的测量是采用HF和（）的混和液对磨...

【单项选择题】 在确定扩散率的实验中，扩散层电阻的测量可以用（）测量。

【单项选择题】 用电容－电压技术来测量扩散剖面分布是用了（）的原理。

【单项选择题】 如果磷在二氧化硅中扩散，对扩散率影响最大的因素是：（）。

【单项选择题】 He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13...

【单项选择题】 下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。

【单项选择题】 通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。

【单项选择题】 在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时，需要将硅片先装入（），然后再装...

【单项选择题】 半导体硅常用的施主杂质是（）。

【单项选择题】 化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。

【单项选择题】 半导体硅常用的受主杂质是（）。

【多项选择题】 下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。

【多项选择题】 下列可作为磷扩散源的是（）。

【单项选择题】 扩散炉中的管道一般都是用（）制作。

【单项选择题】 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。

【单项选择题】 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。

【单项选择题】 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩...

【单项选择题】 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩...

【单项选择题】 在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。

【多项选择题】 超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。

【单项选择题】 光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。

【单项选择题】 用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。

【多项选择题】 光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。

【多项选择题】 关于正胶和负胶在显影时的特点，下列说法正确的是（）。

【单项选择题】 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。

【单项选择题】 在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。

【多项选择题】 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。

【单项选择题】 光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。

【多项选择题】 涂胶之前，要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行，下列操作正确的是（）。

【单项选择题】 涂胶以后的晶片，需要在一定的温度下进行烘烤，这一步骤称为（）。

【单项选择题】 在VLSI工艺中，常用的前烘方法是（）。

【多项选择题】 按曝光的光源分类，曝光可以分为（）。

【多项选择题】 下列有关曝光系统的说法正确的是（）。

【单项选择题】 下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。

【多项选择题】 下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。

【单项选择题】 下列哪些因素不会影响到显影效果的是（）。

【多项选择题】 有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。

【多项选择题】 晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。

【多项选择题】 光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。

【多项选择题】 去正胶常用的溶剂有（）

【单项选择题】 硅烷的分子式是（）。

【多项选择题】 半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。

【多项选择题】 离子注入的主要气体源中，易燃、易爆的有（）。

【单项选择题】 离子源腔体中的气体放电形成（）而引出正离子的。

【单项选择题】 晶体中，每个原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置时其势能为（）。

【单项选择题】 降低靶的温度，有利于非晶层的形成，所以临界注入量随之（）。

【单项选择题】 在实际工作中，常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。

【单项选择题】 一般用（）测量注入的剂量。

【单项选择题】 在靶片前方设一抑制栅，作用是将（）抑制回去，从而保证测量的准确性。

【单项选择题】 如果固体中的原子排列情况是紊乱的，就称之为（）。

【多项选择题】 电荷积分仪的基本单元包括（）。

【单项选择题】 离子从进入靶起到停止点所通过的总路程称作（）。

【单项选择题】 射程在垂直入射方向的平面内的投影长度称之为（）。

【单项选择题】 离子散射方向与入射方向的夹角，称为（）。

【多项选择题】 对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。

【单项选择题】 当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加，趋于饱和。开始饱和的注...

【单项选择题】 当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加，趋于饱和。饱和正是对应...

【多项选择题】 下列哪些因素会影响临界注入量的大小：（）。

【多项选择题】 哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。

【单项选择题】 损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。

【单项选择题】 目前，最广泛使用的退火方式是（）。

【单项选择题】 （）就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面，使其中离子注入层在...