单项选择题
A.只要界面的取向不发生变动，小台阶永远不会消失，晶体可以始终沿着垂直于界面的方向稳步地向前推进B.一般说来，原子密度疏的晶面，法向成长线速度较慢C.晶体不同晶面的成长线速度也不相同D.小台阶愈高，晶体成长的速度也愈快
A.晶体本身结构（如单斜晶系、三斜晶系、四方晶系等）B.晶体生长界面的结构（稀排面、密排面、还是特异面）C.晶体界面的曲率等因素，（凸形界面、凹形界面、其他形状的界面）D.以上都是
A.实际晶体结晶过程分为自发成核和非自发成核，但常常是以自发成核为主B.熔体中存在杂质时，往往利用杂质作为基底，生成非自发晶核C.一般来讲，非自发临界晶核形成时所需要的能量比自发晶核所需的能量大D.由于籽晶为硅材质，所以引晶过程属于自发成核