多项选择题
A.多晶硅含碳量一般为1×1016个/cm3至3×1016个/cm3B.石墨器件和保护气氛（氩气）中残留的氧在高温下进行化学反应生成一氧化碳C.石墨器件清理不干净导致石墨微粒飘入熔硅中，由于石墨的主要成份为碳，导致晶体中碳原子增多D.石英坩埚在高温下和石墨反应生成一氧化碳
A.析出物一般是掺杂剂单质B.同等条件下，P型掺杂的晶体比N型掺杂的晶体更容易出现析出和杂质条纹C.同等条件下，N型掺杂的晶体比P型掺杂的晶体更容易出现析出和杂质条纹D.掺杂量比较大的重掺杂的单晶中容易出现析出和杂质条纹
A.纯净的籽晶和熔硅表面是保证单晶无位错生长的基本条件B.熔硅温度变化，单晶的回熔或加快生长也可能形成位错C.放肩、转肩、等直径生长，这些过程熔硅温度变化较大，容易产生位错D.优良的热场是无位错单晶生长的重要条件