多项选择题
A.纯净的籽晶和熔硅表面是保证单晶无位错生长的基本条件B.熔硅温度变化，单晶的回熔或加快生长也可能形成位错C.放肩、转肩、等直径生长，这些过程熔硅温度变化较大，容易产生位错D.优良的热场是无位错单晶生长的重要条件
A.刃型位错有确定的滑移面，在切应力的作用下，额外的原子面在滑移面上沿滑移方向推进，位错线沿滑移面移动B.螺位错同样可以滑移，使滑移区扩大，但螺位错没有固定的滑移面，可以在任意通过螺位错线的平面上滑移C.刃型位错没有确定的滑移面，在切应力的作用下，可以在任意通过位错线的平面上滑移D.螺位错有固定的滑移面，额外的原子面在滑移面上沿滑移方向推进，位错线沿滑移面移动
A.石英坩埚的几何形状B.石英坩埚在加热器中的相对位置C.熔体上部空间的状况（真空、气氛）D.加在熔体上的电磁场，外力场（转动）