单项选择题
A.晶体本身结构（如单斜晶系、三斜晶系、四方晶系等）B.晶体生长界面的结构（稀排面、密排面、还是特异面）C.晶体界面的曲率等因素，（凸形界面、凹形界面、其他形状的界面）D.以上都是
A.实际晶体结晶过程分为自发成核和非自发成核，但常常是以自发成核为主B.熔体中存在杂质时，往往利用杂质作为基底，生成非自发晶核C.一般来讲，非自发临界晶核形成时所需要的能量比自发晶核所需的能量大D.由于籽晶为硅材质，所以引晶过程属于自发成核
A.结晶过程伴随着结晶潜热的释放B.放出的结晶潜热小于散发到周围环境中去的热量时，结晶过程继续进行C.放出的结晶潜热等于散发到周围环境中去的热量时，结晶过程停止D.放出的结晶潜热持续大于散发掉的热量时，结晶过程可能会停止