多项选择题
A.ARC可以是硅的氮化物 B.可用干法刻蚀除去 C.ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成 D.ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层 E.ARC膜也可以通过CVD的方法形成
A.烘烤的目的是除去光刻胶中的水分 B.烘烤可以减轻曝光中的驻波效应 C.烘烤的温度一般在300℃左右 D.烘烤的时间越长越好
A.投影式同接触式相比，掩模版的利用率比较高 B.接触式的分辨率优于接近式 C.接近式的分辨率受到衍射的影响 D.投影式曝光系统中不会产生衍射现象 E.投影式曝光是目前采用的主要曝光系统