填空题
()称为沟道效应,可以用()、()和()来避免。其中,()是最常用的方法。
【参考答案】
沿晶体沟道注入离子的射程远大于随机方向注入离子射程的现象;硅片相对注入束偏转5-7°的注入角;表面生长氧化层;硅注入表面......
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试题
填空题
注入离子的射程主要由()决定。确定注入离子分布的主要参数是()及其()。注入离子分布的一级近似为()。可写成:
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填空题
CMOS集成电路的栅氧化层要求:()。通常用()氧化降低其界面态密度,用()氧化降低其针孔密度和提高介电击穿强度。
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