CMOS集成电路的栅氧化层要求：（）。通常用（）氧化降低其界面态密度，用（）氧化降低其针孔密度和提高介电击穿强度。

【参考答案】

针孔密度低、界面态密度低、可动电荷密度低和固定电荷密度低、介电击穿高；含Cl；含N