填空题

用C-V测试可以测定二氧化硅薄膜的：（）

【参考答案】

界面态密度、可动电荷密度和固定电荷密度
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填空题
氧化层厚度的测量方法主要有：（）。
填空题
氧化时（）称为分凝效应。B在氧化硅中的含量高于Si衬底中的含量，分凝系数（）1；P、As在氧化硅中的含量低于Si衬底中含量，分凝系数（）1。
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