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【单项选择题】 测得以硅三极管的基极电压为-1.7V，发射极电压为-1V，集电极电...

【单项选择题】 I-V特性曲线和负载线的交叉点叫做（）

【单项选择题】 负载线是一条描述（）的曲线。

【单项选择题】 常温下测得一处于放大状态的三极管各极电位分别为8V、3.3V、3V...

【单项选择题】 当晶体三极管的发射结加正偏、集电结加反偏时，它呈现的主要特性是正...

【单项选择题】 处于饱和状态的晶体管可通过（）鉴别。

【单项选择题】 锗三极管的饱和压降为（）。

【单项选择题】 硅三极管的饱和压降为（）。

【单项选择题】 对于NPN型三极管，当VBE=0时，VBE＜VCE，则该管的工作状态是（）

【单项选择题】 若三极管VBE＞0，VBE＜VCE，则该三极管的工作状态是（）

【单项选择题】 若三极管各电极对地的电位是VB=-2.3V，VC=-7V，VE=-2V，...

【单项选择题】 NPN型三极管三只管脚的电位关系为VE＜VC＜VB，则三极管工作在（）区...

【单项选择题】 三极管的两个PN结都正偏时，三极管可能处于（）状态。

【单项选择题】 PNP型三极管工作在正常放大状态时，电位最高的是（），最低的是（）

【单项选择题】 PNP型三极管三只管脚的电位关系为VB＞VC＞VE，则三极管可能工作在（...

【单项选择题】 在某电路中，测得晶体管三个管脚间的电压值分别为：VBE=-0.2V，...

【单项选择题】 温度降低时，三极管的β值（），集电结反向饱和电流ICBO（）

【单项选择题】 温度升高时，三极管的β值（），导通电压VBE（on）（）

【单项选择题】 某三极管的IB=20μA时，IE=0.9mA，则它的电流放大系数β=（）

【单项选择题】 已知某三极管的射极电流IE=1.36mA，集电极电流IC=1.33mA，...

【单项选择题】 已知三极管的β=100，若IB=10μA，则该管的IC=（）（忽略ICE...

【单项选择题】 处于未饱和状态的晶体管基极电流增大，则集电极电流（）

【单项选择题】 三极管正常工作时，几乎相等的两种电流是（）

【单项选择题】 α是（）的比值。

【单项选择题】 β是（）的比值。

【单项选择题】 PNP型晶体管工作在放大状态时，基极应当（）

【单项选择题】 NPN型晶体管工作在放大状态时，基极应当（）

【单项选择题】 PNP型三极管工作在截止状态时，要求发射结（），集电结（）

【单项选择题】 PNP型三极管工作在饱和状态时，要求发射结（），集电结（）

【单项选择题】 PNP型三极管工作在放大状态时，要求发射结（），集电结（）

【单项选择题】 NPN型三极管工作在截止状态时，要求发射结（），集电结（）

【单项选择题】 NPN型三极管工作在饱和状态时，要求发射结（），集电结（）

【单项选择题】 NPN型三极管工作在放大状态时，要求发射结（），集电结（）

【单项选择题】 PNP型晶体管中，N型区是（）

【单项选择题】 NPN型晶体管中，N型区是（）

【单项选择题】 三极管工作时，有（）种载流子参与导电。

【单项选择题】 关于三极管下列说法中正确的是（）

【单项选择题】 根据PN结排列方式的不同，晶体三极管可以分为（）两种类型。

【单项选择题】 三极管内有（）个PN结。

【单项选择题】 （）内部空穴数量多于自由电子数量。

【单项选择题】 以下关于扩散电流的描述中，错误的是（）

【单项选择题】 以下关于漂移电流的描述中，错误的是（）

【单项选择题】 半导体器件受温度影响较大的主要原因是（）

【单项选择题】 杂质半导体中，温度升高，多子浓度（），少子浓度（）

【单项选择题】 杂质半导体中，掺杂越多，多子（），少子（）

【单项选择题】 杂质半导体中，掺杂浓度（）热平衡载流子浓度。

【单项选择题】 光照增强，本征半导体的载流子浓度（），导电能力（）

【单项选择题】 温度降低，本征半导体的载流子浓度（），导电能力（）

【单项选择题】 本征半导体中自由电子-空穴成对消失的过程称为（）

【单项选择题】 碳化硅属于第（）代半导体。

【单项选择题】 砷化镓属于第（）代半导体。

【单项选择题】 硅、锗属于第（）代半导体。

【单项选择题】 在二极管的结构中，连接N型半导体的引线称（）

【单项选择题】 二极管加正向电压的方法是（）

【单项选择题】 二极管最基本的结构是（）

【单项选择题】 交流电阻的定义是（）

【单项选择题】 正向偏置的锗二极管电压大约为（）

【单项选择题】 正向偏置的硅二极管电压大约为（）

【单项选择题】 半导体二极管中有两种偏置，分别是（）

【单项选择题】 半导体二极管中，PN结附近由正负离子组成的区域称为（）

【单项选择题】 将杂质原子加入到纯净半导体材料的过程称为（）

【单项选择题】 自由电子存在于（）中。

【单项选择题】 半导体晶体里的原子由（）结合在一起。

【单项选择题】 当一个中性原子失去或得到一个价电子时，原子变成了（）

【单项选择题】 P-Sub的理想MOS结构在耗尽状态时，半导体表面空间电荷区的电荷主要...

【单项选择题】 MOS晶体管的（）可以用来表征栅电压对其沟道电流的控制能力，其值越...

【单项选择题】 已知Si中掺有硼杂质，且掺杂浓度为1017 cm3，则这是（）型半导...

【单项选择题】 已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度（）空穴浓度。

【单项选择题】 N型硅衬底的MOS结构，当其栅极施加（）偏压时，半导体表面附近会形成...

【单项选择题】 一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，其阈值电压应该是（）的，积累状...

【单项选择题】 P-Sub的理想MOS结构衬底的费米势应该是（）的；强反型时，其空间电...

【单项选择题】 不影响MOS管阈值电压的参数有（）

【单项选择题】 关于双极型晶体管（BJT）的基区，基区宽度越（），载流子传输过程中...

【单项选择题】 当三极管的共发射极电流放大系数下降为低频时的1 √2，对应的频率是：（）

【单项选择题】 缩短材料的少子寿命，会（）二极管的开关速度，向半导体中掺金，会（...

【单项选择题】 PN结的击穿电压越（）越好，开关时间越（）越好。

【单项选择题】 正向电压作用下PN结电容以（）为主，反向电压作用下PN结电容以（）为主。

【单项选择题】 P区侧存在（）空间电荷，会形成从（）的自建电场

【单项选择题】 能带和能带间不能有电子填充的叫（）

【单项选择题】 不会影响半导体本征载流子浓度的因素是（）

【单项选择题】 P型半导体的掺杂浓度越高，载流子的迁移率越（），费米能级越靠近（）

【单项选择题】 半导体晶体一个重要的特性就是（）。因此，制造不同类型的器件通常需...

【单项选择题】 （）是一种电压控制型器件，（）载流子参与导电

【单项选择题】 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小，阈值电压（）

【单项选择题】 已知NMOS管的阈值电压是1.5V，工作时漏源电压为3V，栅源电压为5...

【单项选择题】 增强型NMOS的阈值电压（）0，且当VGS（）VT时，MOS管才导通

【单项选择题】 以下关于MOS管说法正确的是（）

【单项选择题】 以下关于MOS管的说法正确的是（）

【单项选择题】 关于MOS电容，以下说法正确的是（）

【单项选择题】 已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态...

【单项选择题】 一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中，（）

【单项选择题】 一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，（）

【单项选择题】 当三极管的共射电流放大系数下降为1时所对应的频率为（）

【单项选择题】 关于NPN管直流工作特性分析，不正确的是（）

【单项选择题】 当Vce为25V，基极电流为80uA时，集电极电流为（）mA

【单项选择题】 以下关于晶体管的直流放大系数的说法正确的是（）

【单项选择题】 以下哪个条件不能使晶体管具有良好的放大性能（）

【单项选择题】 以下效应中不是由大电流引起的有（）

【单项选择题】 以下关于NPN管在放大工作时的说法不正确的是（）

【单项选择题】 为了获得良好的放大性能，一般希望PNP管（）