单项选择题
A.MOS电容是固定电容B.MOS电容就是MOS栅氧化层电容C.MOS电容在高频和低频时的特性是不一样的D.随着栅电压增加，MOS电容会减小
A.该结构衬底为P型硅，是增强型MOS结构B.该结构衬底为N型硅，是增强型MOS结构C.该结构衬底为P型硅，是耗尽型MOS结构D.该结构衬底为N型硅，是耗尽型MOS结构
A.其栅氧化层厚度越小，阈值电压越大B.其衬底掺杂浓度越高，阈值电压越大C.其阈值电压必定是负的D.其衬底费米势肯定是负的