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【问答题】 某IC芯片面积为5×5mm2，生产中采用6英寸硅片，假定生产的成品率...

【问答题】 图2.10版图中，若P管的L W=8，N管的L W=1 3，试用表2....

【问答题】 由这层材料制作的长度为55μm、宽度为5μm的电阻值。

【问答题】 若使用方块电阻的概念，计算该材料电阻的公式是什么？

【问答题】 计算该材料的方块电阻值。

【问答题】 利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×14μm的薄氧化层区正中...

【问答题】 试求最小尺寸NMOS管的栅电容和增益因子βn。

【问答题】 P管几何尺寸为多少才能获得与N管相同的增益因子。

【问答题】 CMOS反相器的负载为相同尺寸的反相器时，反相器的门延迟时间是多少？...

【问答题】 若反相器的输出端接有4个相同尺寸的反相器，问该反相器的门延迟时间是多少？

【问答题】 若该CMOS反相器的输出端接了一个60fF的电容，在20MHz工作频率下...

【问答题】 对于的三输入CMOS与非门，试计算最坏情况下的上升时间和下降时间。如...

【问答题】 假设k丶N=2k丶p，试比较最坏工作情况下具有对称驱动能力的两输入与...

【问答题】 已知 试计算两输入与非门，两输入或非门和CMOS反相器的门延迟时间，...

【问答题】 四级反相器逐级相联，第一级为标准尺寸CMOS反相器，若后一级反相器的...

【问答题】 用标准反相器直接驱动负载的延迟时间tdir。

【问答题】 用优化设计的逐级放大反相器链驱动负载的延迟时间tcas，并给出放大器...

【问答题】 用两级放大反相器驱动负载的延迟时间。

【问答题】 某CMOS微处理器有40万支晶体管，工作在20MHz频率下，工作电压为...

【问答题】 画出图中版图的电路原理图。

【问答题】 画出图中版图的电路原理图。

【问答题】 试用多米诺方法实现下列逻辑方程：R=AB+BC+AC

【问答题】 试用两输入LUT单元实现逻辑式：Z=AB+CD

【问答题】 用预充电逻辑设计 画出电路图。若电路内部结点电容C=5fF，负载电...

【问答题】 试用Weinberger阵列结构实现下列逻辑表达式：

【问答题】 在下图中，利用NMOS管实现A与B的同或函数。

【问答题】 在下图中，分别给出测试1 1、3 1、4 0错误的测试向量。

【问答题】 下图是一个电路的部分版图，求A到B的总电容，已知某工艺的典型面电容...

【问答题】 画出用多米诺逻辑实现X=AB+C，Y=XD的电路图，并根据下图的输入画...

【问答题】 设1μmCMOS工艺的参数为：栅氧化层厚度35nm，栅氧化层介电常数ε...

【问答题】 试画出下列版图的电路原理图

【问答题】 试画出用预充电逻辑实现 的电路原理图的电路图，并画出在一个时钟周...

【问答题】 画出下列版图的电路原理图。

【问答题】 试写出图中F1和F2的逻辑表达式。

【问答题】 试写出图中W、X、Y、Z的逻辑表达式。

【问答题】 试画出下图版图的电路原理图。

【问答题】 一个采用10个CMOS反相器的系统工作在30MHz和5V电源下，试计算每...

【问答题】 根据下面的版图，求A到B的总电容，已知某工艺的典型面电容值为：Cox...

【问答题】 画出图中版图的电路原理图。

【问答题】 写出图1和图2电路的逻辑表达式OUT=f（A，B，C，D），并画出电路原...

【问答题】 求图中电路从A到B的电容值，已知面电容值（fF μm2）分别为：Cox为...

【问答题】 2级反相器中管子的栅长和栅宽均为4μm，Cox=1fF μm2，N管和P...

【问答题】 画出用多米诺逻辑实现X=AB+C，Y=XD的电路图，并根据图中的输入，...