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画出图中版图的电路原理图。
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根据下面的版图,求A到B的总电容,已知某工艺的典型面电容值为:Cox为0.6,金属与衬地为0.03,金属与多晶硅为0.045,金属与扩区为0.05,多晶硅与衬地为0.045,面电容的单位为fF μm2)。
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问答题
一个采用10个CMOS反相器的系统工作在30MHz和5V电源下,试计算每级门的功耗和平均电流,如果金属线的最大电流密度是0.8mA μm,试求电源和地线的宽度?(假定CMOS反相器的负载电容是0.15pF,PN结的反向漏电流是0.2nA)
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