案例分析题

设某1μmCMOS工艺的参数如下

试求最小尺寸NMOS管的栅电容和增益因子β_n。

利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×14μm的薄氧化层区正中央构成一个MOS晶体管，已知栅电容Cox=10-3pF μm2，扩散区电容Cja=10-4pF μm2，扩散区周边电容为Cja=10-3pF μm，场区多晶硅与衬底之间的电容Cp=5×10-5pF μm2，试计算多晶硅区和扩散区的电容。 点击查看答案

计算该材料的方块电阻值。 点击查看答案