单项选择题

下列晶体缺陷中对其扩散速率影响最大的是（）

A.空位
B.填隙杂质
C.自填隙
D.替位杂质

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单项选择题
CZ法拉不出高阻单晶硅锭的主要原因是（）

A.气相杂质融入熔体再进入了硅锭
B.坩埚材料分解出的氧会进入硅锭
C.多晶硅原料纯度不够高
D.干锅清洗不干净造成
多项选择题
IC采用铝互连系统时，下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象（）

A.在淀积的铝膜中掺入约1%Si
B.在淀积的铝膜中掺入约1%Cu
C.在铝膜表面覆盖Si3N4
D.在淀积铝之前先淀积一薄层TiN薄膜
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