在LPCVD中，由于hG>>kS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是表面反应速率控制

下面选项属于主扩散的作用有（）。  1.调节表面浓度 2.控制进入硅表面内部的杂质总量 3.控制结深

A.1
B.2
C.3
D.1、3

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不论正胶或负胶，光刻过程中都包括如下步骤： 1.刻蚀 2.前烘 3..显影 4.去胶 5.涂胶 6.曝光 7.坚膜 以下选项排列正确的是：（）。

A.2561437
B.5263471
C.5263741
D.5263714。

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