干法刻蚀适用于（）（粗/细）线条。

化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。  1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4.CVD SiO2，温度低。

A.1、2
B.2、4
C.1、4
D.1、2、4
E.1、2、3、4

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有限表面源扩散的杂质分布服从（）分布。 点击查看答案