扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸（），这是（）效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。

制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。 点击查看答案&解析

通常掩膜氧化采用的工艺方法为（）

A.干氧
B.干氧-湿氧-干氧
C.掺氯氧化
D.低压氧化

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