单项选择题

通常掩膜氧化采用的工艺方法为（）

A.干氧
B.干氧-湿氧-干氧
C.掺氯氧化
D.低压氧化

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热门 试题

多项选择题
在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层（）

A.MBE
B.VPE、LPE
C.UHV/CVD
D.SEG、SPE
单项选择题
磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率（）

A.轴向均匀
B.轴向递减
C.轴向递増
D.径向递减
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