单项选择题

磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率（）

A.轴向均匀
B.轴向递减
C.轴向递増
D.径向递减

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热门试题

多项选择题

关于拉单晶时进行的缩颈步骤，下面的说法那种正确（）

A.可以多次缩颈
B.为了能拉出与籽晶相同的硅锭
C.为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸
D.为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸

单项选择题

化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。 1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4.CVD SiO2，温度低。

A.1、2
B.2、4
C.1、4
D.1、2、4
E.1、2、3、4

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