多项选择题
在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中,哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层()
A.MBE
B.VPE、LPE
C.UHV/CVD
D.SEG、SPE
点击查看答案&解析
<上一题
目录
下一题>
热门
试题
判断题
如果外延速率偏低,只要增大外延气体中硅源(如SiCl4)浓度,硅的气相外延速率就会增加。
点击查看答案&解析
填空题
拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的()造成。
点击查看答案
相关试题
碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势...
CE定律发展面临的问题包括()。
IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是(...
三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后...
芯片粘接的工艺过程包括()。