单项选择题

通常掩膜氧化采用的工艺方法为（）

A.干氧
B.干氧-湿氧-干氧
C.掺氯氧化
D.低压氧化

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热门 试题

多项选择题
在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层（）

A.MBE
B.VPE、LPE
C.UHV/CVD
D.SEG、SPE
判断题
如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。
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