多项选择题

‏在现代Si CMOS IC金属化工艺中，Ti和TiN的作用是（）。

A.TiN是势垒层（阻挡层）
B.两个都是导电层
C.Ti是粘结层或焊接层
D.TiN防反射层

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多项选择题
Poly-Si gate的刻蚀应采用什么特性和什么方法的刻蚀？（）

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B.干法刻蚀
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D.各向异性刻蚀
多项选择题
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A.氮化硅用常压CVD工艺
B.氧化层用CVD工艺
C.氮化硅用低压CVD工艺
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